Electronic Egyption Clup2

بسم الرحمن الرحيم
أخى الزائر هذا المنتدى مجانى من أجلك أنت
فلا تتردد وسارع بالتسجيل الهدف من إنشاء هذا المنتدى هو تبادل الخبرات والرقى بعلم الالكترونيات فى العالم العربى
أعوذ بالله من علم لاينفع شارك برد
أو أبتسانه ولاتأخذ ولا تعطى
اللهم أجعل هذا العمل فى ميزان حسناتنا
يوم العرض عليك ، لا إله إلا الله محمد رسول الله.


Electronic Egyption Clup2


 
الرئيسيةبحـثالتسجيلدخول

******أعوذ بالله من الشيطان الرجيم******{ بسم الله الرحمن الرحيم}***** اَللَهُ لا إِلَهَ إلا هو اَلحي ُ القَيَوم لا تأخذه سِنَةٌ ولا نوْمٌ لَّهُ مَا فيِِ السَمَاوَاتِ وَمَا في اَلأَرْضِ مَن ذَا الَّذِي يَشفَعُ عِنْدَهُ إِلاَّ بِإِذْنِهِ يَعْلَمُ مَا بَينَ أَيدِيهِمْ ِوَمَا خَلْفَهم وَلا َيُحِيطُونَ بشَيءٍ مِنْ علمِهِ إِلاَ بِمَا شَآء وَسعَ كُرْسِيُّهُ السَمَاوَاتِ وَالأَرضِ وَلاَ يَؤُدُه حِفْظُهُمَا وَهُوَ العَليُّ العَظِيمُ **** **   كل عام وأنتم بخير  ***** ربى أحفظ مصر من كل سوء ***** نادى الالكترونيات المصرى2   *كما ندعو لمصر بصلاح حالها وتولى من يصلح*اللهم أحفظ مصرنا من كل سوء*لا إله إلا الله*ولا حول ولا قوة إلا بالله *الله أكبر الله أكبر الله أكبرلا إِلَهَ إلا الله ***** الله أكبر  الله أكبر الله أكبرولله الحمد*****عزيزى العضو لاتأخذ ولا تعطى كن متعاون*****شارك برأى شارك بموضوع ولو بسيط*****هنا بالمنتدى دوائر & كتب & دروس & ميكروكنتروللر PIC Microcontroller & دوائر صوت الخ ** ****كل عام وأنتم بخير***ًاللهم اشكو اليك ضعف قوتي ,وقلة حيلتي,وهواني على الناس,يا ارحم الراحمين ,انت رب المستضعفين وانت ربي,الى من تكلني,الى بعيد يتجهمني,او الى عدو ملكتة امري,ان لم يكن بك غضب علي فلا ابالي,غير ان عافيتك هي اوسع لي,اعوذ بنور وجهك الذي اشرقت لة الظلمات,وصلح علية امر الدنيا والاخرة,ان يحل علي غضبك,او ينزل بي سخطك,لك العتبى حتى ترضى,ولا حولة ولا قوة الا بك صدق رسول الله صلى الله عليه وسلم تحيا مصر حرة فى ضميركل حر ** flower


شاطر | 
 

 كتاب مواصفات الموسفت

استعرض الموضوع السابق استعرض الموضوع التالي اذهب الى الأسفل 
كاتب الموضوعرسالة
المهندس اشرف

نائب المديرالعام
 نائب المديرالعام


تاريخ التسجيل : 18/12/2007


تاريخ الميلاد : 19/07/1960
الجنس : ذكر
العمر : 56
البلد : مصر
نوع العمل/ : صاحب مركز صيانة ومحلات قطع غيار
عدد الرسائل : 482

مُساهمةموضوع: كتاب مواصفات الموسفت   الإثنين 5 مايو - 23:16

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]



إخوانى الأعزاء نقدم لكم اليوم موضوع فى غاية الأهمية وهو كتاب مواصفات الموسفت
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
سعيد شعراوى

عضو جديد
 عضو جديد


تاريخ التسجيل : 27/04/2008


تاريخ الميلاد : 20/10/1967
الجنس : ذكر
العمر : 49
البلد : مصر
نوع العمل/ : مهندس اليكترونيات
عدد الرسائل : 10

مُساهمةموضوع: رد: كتاب مواصفات الموسفت   الثلاثاء 6 مايو - 3:16

[center]أخى الحبيب المشرف العام أشرف
أسمحلى بتقديم مقدمة أولا
منقول للأفادة[/center]

MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن

مقدمة :
تعتبر أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم والسليكون) موادا ليست جيدة التوصيل للكهرباء كما أنها ليست رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون من الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على إستقبال إلكترونات أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).

البلورة السالبة N :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات مثل الفسفور أو الزرنيخ إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N وهى موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .

البلورة الموجبة P :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات مثل البورون والألومينيوم والجاليوم إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان (يعنى وجود فجوات Holes).

الوصلة الثنائية :
عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض الألكترونات الحرة من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area ونتيجة لهذه الظاهرة ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على هذه المنطقة يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .



الإنحياز الأمامى :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.


الإنحياز الخلفى (العكسى) :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف السالب بالبللورة P وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب للطرف السالب للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.


ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن :

كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET

>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :

1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)
2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).
3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).
4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate

>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel بحسب أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).

>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .



فكرة عمل الـMOSFET :

فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.



3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.



لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة.

الـMOSFET المتمم (CMOS) :

مصطلح الCMOS هو أختصار للجملة Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوعى N-Channel ,P-Channel
ويكون عمله كالآتى :
1- عندما يكون مستوى الدخل منخفضا على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة P) على تمرير التيار من مصدره لمصرفه . ولا يعمل الترانزستور الآخر.
2- عندما يكون مستوى الدخل مرتفعاعلى البوابة (High) يعمل الترانزستور N-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة N) من مصرفه لمصدره . ولا يعمل الترانزستور الآخر.

أى أنه فى دارة الCMOS يعمل الN-MOS و الPMOS بصورة عكسية (أحدهما يمرر والآخر لا).
ويستفاد من هذه الحالة عند التعامل مع تيارت عالية (قدرات عالية) فيخفف ذلك من تسخين كلا من الترانزستورين حيث يعمل كلا منهما نصف الوقت بينما يريح الأخر مع الحفاظ على حالات الخرج وذلك بإدخال نبضة ساعة على البوابة .



خاتمة :
تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح.
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
المهندس اشرف

نائب المديرالعام
 نائب المديرالعام


تاريخ التسجيل : 18/12/2007


تاريخ الميلاد : 19/07/1960
الجنس : ذكر
العمر : 56
البلد : مصر
نوع العمل/ : صاحب مركز صيانة ومحلات قطع غيار
عدد الرسائل : 482

مُساهمةموضوع: إضافة رائعة   الثلاثاء 6 مايو - 9:54

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]


مهندسنا الكبير سعيد إضافة رائعة من مهندس مخضرم تحياتى لك مبروك نائب المشرف العام قريبا
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
المهندس اشرف

نائب المديرالعام
 نائب المديرالعام


تاريخ التسجيل : 18/12/2007


تاريخ الميلاد : 19/07/1960
الجنس : ذكر
العمر : 56
البلد : مصر
نوع العمل/ : صاحب مركز صيانة ومحلات قطع غيار
عدد الرسائل : 482

مُساهمةموضوع: هذا هو الكتاب   الثلاثاء 6 مايو - 11:25

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]


هذا هو الكتاب أعزائى الكرام وله جزء ثانى سنرفعه قريبا جدا إن شاء الله


[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
aa_ww204

عضو جديد
 عضو جديد


تاريخ التسجيل : 01/05/2008


تاريخ الميلاد : 14/03/1964
الجنس : ذكر
العمر : 52
البلد : مصر
نوع العمل/ : مهندس
عدد الرسائل : 9

مُساهمةموضوع: رد: كتاب مواصفات الموسفت   الإثنين 29 سبتمبر - 11:16

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
m.hassan2020

عضو نشيط جداا
 عضو نشيط جداا


تاريخ التسجيل : 07/08/2008


تاريخ الميلاد : 10/09/1974
الجنس : ذكر
العمر : 42
البلد : مصر
نوع العمل/ : صيانة الاجهزة الالكترونية
عدد الرسائل : 36

مُساهمةموضوع: رد: كتاب مواصفات الموسفت   السبت 24 يناير - 19:38

تسلم استاذنا
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
http://alsafwa.ahlamountada.com
عبد الله عبد الله

عضو جديد
 عضو جديد


تاريخ التسجيل : 25/12/2011


تاريخ الميلاد : 10/07/1990
الجنس : ذكر
العمر : 26
البلد : فلسطين
نوع العمل/ : طالب جامعي
عدد الرسائل : 1

مُساهمةموضوع: رد: كتاب مواصفات الموسفت   الأحد 25 ديسمبر - 18:10

جزاكم الله خيرا
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
 
كتاب مواصفات الموسفت
استعرض الموضوع السابق استعرض الموضوع التالي الرجوع الى أعلى الصفحة 
صفحة 1 من اصل 1

صلاحيات هذا المنتدى:لاتستطيع الرد على المواضيع في هذا المنتدى
Electronic Egyption Clup2 :: ۩۞۩ منتدي صيانه التليفزيون ۩۞۩-
انتقل الى: